Силовой IGBT-модуль, полумост, SEMITRANS2.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1700 В;
Номинальный ток: 75 А;
Напряжение насыщения К-Э при 25 C: 2 В;
Технология: IGBT 3 (Trench);
Конфигурация: полумост;
Корпус: D61
Поставка электронных компонентов
Поставка электронных компонентов
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60
Корзина пуста.
5956,00 ₽
Силовой IGBT-модуль, полумост, SEMITRANS2.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1700 В;
Номинальный ток: 75 А;
Напряжение насыщения К-Э при 25 C: 2 В;
Технология: IGBT 3 (Trench);
Конфигурация: полумост;
Корпус: D61
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60