Силовой модуль IGBT BSM50GP120

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

RoHS

Подробности

Торговая марка

Infineon Technologies

Продукт

IGBT Silicon Modules

Конфигурация

Hex

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Ток утечки затвор-эмиттер

300 nA

Рассеяние мощности

360 W

Максимальная рабочая температура

+ 125 C

Упаковка блок

EconoPIM3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+- 20 V

Минимальная рабочая температура

— 40 C

Вид монтажа

Screw

Размер фабричной упаковки

500